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參數(shù)資料
| 型號： | M12L128168A-6TG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 33/43頁 |
| 文件大?。?/td> | 804K |
| 代理商： | M12L128168A-6TG |
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ESMT
M12L128168A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Revision
:
2.0
Publication Date
:
Oct. 2006
33/43
Page Write Cycle at Different Bank @ Burst Length = 4
*Note : 1. To interrupt burst write by Row precharge , DQM should be asserted to mask invalid input data.
2. To interrupt burst write by Row precharge , both the write and the precharge banks must be the same.
0 1 2 3
4 5 6
7
8
9
10
11
12
13
14
15 16 17
18
19
C L O C K
C K E
C S
R A S
C A S
A D D R
W E
DQ
DQ M
A10/AP
A13
A12
: D o n ' t c a r e
*Not e 1
RAa
RBb
CAa
CBb
RD d
C C c
R C c
CD d
* No t e 2
DAa1
DAa0
DBb0 DBb1
DBb3
DDd0 DDd1
DAa2
DBb2
DCc0 DCc1
RAa
RBb
R C c
RD d
DAa3
CDd2
t
CD L
R o w A c t i v e
( A - Bank )
R o w A c t i v e
( B - B a n k )
W r i t e
( A - B a n k )
W r i t e
( B - B a n k )
R o w A c t i v e
( C - B a n k )
W r i t e
( C - B a n k )
P r e c h a r g e
( A l l B a n k s )
R o w A c t i v e
( D - B a n k )
W r i t e
( D - B a n k )
HIGH
t
RD L
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M12L128168A-7TG | 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128324A-7BG | 1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128324A-7TG | 1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128324A | 1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128324A-6BG | 1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M12L128168A-6TG2L | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS |
| M12L128168A-6TIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128168A-7BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128168A-7BG2L | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS |
| M12L128168A-7BIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
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