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參數(shù)資料
| 型號： | M12L128168A-6TG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 17/43頁 |
| 文件大小： | 804K |
| 代理商： | M12L128168A-6TG |
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ESMT
M12L128168A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Revision
:
2.0
Publication Date
:
Oct. 2006
17/43
3.
CAS Interrupt (I)
CLK
CMD
ADD
DQ (CL2)
DQ( CL3)
RD
QB0
QB2
QA0
CLK
CMD
ADD
DQ
WR
DA0
DB0
DB1
RD
A
B
QB1
QB3
QB0
QB2
QA0
QB3
QB1
t
C CD
* N ot e 2
WR
t
CC D * No t e 2
A
B
t
C D L
* No t e 3
W R
RD
t
C CD * N ot e 2
A
B
DA0
DB0
DB1
t
C D L
* No t e 3
DA0
DB0
DB1
DQ( CL3)
DQ (CL2)
1)R ea d i nt er ru pt ed by R ead (B L =4)
2) Wr i t e i n t er ru pt e d b y W ri t e (B L= 2)
3 )W ri t e in t er rup t ed by R ead (B L=2 )
* N ot e1
*Note : 1. By “interrupt” is meant to stop burst read/write by external before the end of burst.
By ” CAS interrupt ”, to stop burst read/write by CAS access ; read and write.
2. t
CCD
:CAS to CAS delay. (=1CLK)
3. t
CDL
: Last data in to new column address delay. (=1CLK)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M12L128168A-7TG | 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128324A-7BG | 1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128324A-7TG | 1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128324A | 1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128324A-6BG | 1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M12L128168A-6TG2L | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS |
| M12L128168A-6TIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128168A-7BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128168A-7BG2L | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS |
| M12L128168A-7BIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
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