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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | LLE16120X |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN microwave power transistor |
| 中文描述： | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | METAL CERAMIC, SOT-437A, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 6/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 74K |
| 代理商： | LLE16120X |
1997 Feb 18
6
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
LLE16120X
Fig.5 Class AB bias circuit at 1.65 GHz.
handbook, full pagewidth
MBC421 - 1
R1
R2
P1
D1
D2
R3
C1
C5
C6
+
VCC
D.U.T.
0 V
TR1
L2
L1
PREMATCHINGTEST CIRCUIT
BIAS CIRCUIT
Fig.6 Load power as a function of input power.
V
CE
= 24 V; f = 1.65 GHz.
(1) I
CQ
= 100 mA.
(2) I
CQ
= 30 mA.
(3) I
CQ
= 3 mA.
handbook, halfpage
0
10
5
0
0.4
PL
(W)
0.8
1.8
MGA246
1.4
PIN (W)
(1)
(2)
(3)
Fig.7
Intermodulation distortion as a function
of average output power.
V
CE
= 24 V; f
1
= 1.65 GHz; f
2
= 1.6502 GHz.
(1) I
CQ
= 3 mA.
(2) I
CQ
= 30 mA.
(3) I
CQ
= 100 mA.
handbook, halfpage
0
2
dim
(dBc)
(1)
(2)
(3)
4
8
MGA245
6
POUT (W)
25
35
45
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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