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參數(shù)資料
| 型號： | LLE16120X |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN microwave power transistor |
| 中文描述： | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | METAL CERAMIC, SOT-437A, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 74K |
| 代理商： | LLE16120X |
1997 Feb 18
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
LLE16120X
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1. Up to 0.2 mm from ceramic.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
65
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CER
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
stg
T
j
T
sld
collector-base voltage
collector-emitter voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
soldering temperature
open emitter
R
BE
= 220
open base
open collector
45
30
15
3
2
23
+150
200
235
V
V
V
V
A
W
°
C
°
C
°
C
T
mb
= 75
°
C
t
≤
10 s; note1
T
mb
≤
75
°
C.
(I) Region of permissible DC operation.
Fig.2 DC SOAR.
handbook, halfpage
10
2
10
1
1
VCE (V)
1
10
(1)
10
2
IC
(A)
MRA545
Fig.3
Maximum power dissipation derating as a
function of mounting base temperature.
P
tot max
= 23 W.
handbook, halfpage
(W)
0
5
10
15
20
25
0
50
100
150
200
Tmb (
o
C)
250
MRA544
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LLE16350X | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN microwave power transistor |
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