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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | LH51BV1000J |
| 廠商： | Sharp Corporation |
| 英文描述： | CMOS 1M (128K x8) Static Ram(CMOS 1M (128K x8) 靜態(tài)Ram) |
| 中文描述： | 100萬(wàn)的CMOS（128K的× 8）靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（100萬(wàn)的CMOS（128K的× 8）靜態(tài)羊） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 9/11頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 77K |
| 代理商： | LH51BV1000J |
t
CDR
V
CC
2.7 V
2.2 V
V
CCDR
0 V
CE
1
CE
1
≥
V
CCDR
- 0.2 V
DATA RETENTION MODE
t
R
51BV1000-6
t
CDR
V
CC
CE
2
DATA RETENTION MODE
t
R
2.7 V
0.4 V
V
CCDR
0 V
CE
2
CONTROL
CE
1
CONTROL
(NOTE)
CE
2
≤
0.2 V
NOTE:
To control the data retention mode at CE
, fix the input level of CE
between V
CCDR
and V
CCDR
- 0.2 V or 0 V and 0.2 V during the data retention mode.
Figure 6. Data Retention Chart
(CE
1
Controlled)
CMOS 1M (128K
×
8) Static RAM
LH51BV1000J
9
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PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| LH51V1032C4M-17 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x32 Fast Synchronous SRAM |
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| LH51V2016JY-85LL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SRAM |
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