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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | LH51BV1000J |
| 廠商： | Sharp Corporation |
| 英文描述： | CMOS 1M (128K x8) Static Ram(CMOS 1M (128K x8) 靜態(tài)Ram) |
| 中文描述： | 100萬的CMOS（128K的× 8）靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（100萬的CMOS（128K的× 8）靜態(tài)羊） |
| 文件頁數(shù)： | 5/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 77K |
| 代理商： | LH51BV1000J |
DATA RETENTION CHARACTERISTICS (T
A
= -25
°
C to +850
°
C)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN.
TYP.
1
MAX.
UNIT
NOTES
Data retention
supply voltage
V
CCDR
CE
2
≤
0.2 V or
CE
1
≥
V
CCDR
- 0.2 V
2.0
3.6
V
2
Data retention
supply current
I
CCDR
V
CCDR
= 3 V
CE
2
≤
0.2 V or
CE
1
≥
V
CCDR
- 0.2 V
T
A
= 25
°
C
0.5
1.0
μ
A
T
A
= 40°C
3.0
50
μ
A
2
Chip enable
setup time
t
CDR
0
ms
Chip enable
hold time
t
R
5
ms
NOTES:
1.
Typical value at T
A
= 25°C
2.
CE
2
≥
V
CCDR
- 0.2 V or CE
2
≤
0.2 V
PIN CAPACITANCE (T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
NOTE
Input capacitance
C
IN
V
IN
= 0 V
8
pF
1
I/O capacitance
C
I/O
V
I/O
= 0 V
10
pF
1
NOTE:
1.
This parameter is sampled and not production tested.
CMOS 1M (128K
×
8) Static RAM
LH51BV1000J
5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| LH51V1032C4M-17 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x32 Fast Synchronous SRAM |
| LH51V2016J85LL | 制造商:Sharp Microelectronics Corporation 功能描述: |
| LH51V2016JY-85LL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SRAM |
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