參數(shù)資料
型號： LH28F640BFHE-PTTL80
英文描述： Flash ROM
中文描述： 閃存ROM
文件頁數(shù)： 37/56頁
文件大?。?/td> 373K
代理商： LH28F640BFHE-PTTL80
LH28F160S5-L/S5H-L
- 37 -
SYMBOL
PARAMETER
NOTE
V
CC =
5.0±0.5 V
TYP.
UNIT
TEST
MAX.
CONDITIONS
I
LI
Input Load Current
1
±1
μA
V
CC
= V
CC
Max.
V
IN
= V
CC
or GND
V
CC
= V
CC
Max.
V
OUT
= V
CC
or GND
CMOS Inputs
V
CC
= V
CC
Max.
CE# = RP# = V
CC
±0.2 V
TTL Inputs
V
CC
= V
CC
Max.
CE# = RP# = V
IH
RP# = GND±0.2 V
I
OUT
(STS) = 0 mA
CMOS Inputs
V
CC
= V
CC
Max.
CE# = GND
f = 8 MHz, I
OUT
= 0 mA
TTL Inputs
V
CC
= V
CC
Max.
CE# = V
IL
f = 8 MHz, I
OUT
= 0 mA
I
LO
Output Leakage Current
1
±10
μA
25
100
μA
I
CCS
V
CC
Standby Current
1, 3, 6
2
4
mA
I
CCD
V
CC
Deep Power-
Down Current
LH28F160S5-L
LH28F160S5H-L
1
15
20
μA
50
mA
I
CCR
V
CC
Read Current
1, 5, 6
65
mA
I
CCW
V
CC
Write Current
((Multi) W/B Write or Set Block Lock-Bit)
V
CC
Erase Current
(Block Erase, Full Chip Erase,
Clear Block Lock-Bits)
I
CCWS
V
CC
Write or Block Erase Suspend
I
CCES
Current
I
PPS
V
PP
Standby Current
I
PPR
V
PP
Read Current
I
PPD
V
PP
Deep Power-Down Current
V
PP
Write Current
((Multi) W/B Write or Set Block Lock-Bit)
V
PP
Erase Current
I
PPE
(Block Erase, Full Chip Erase,
Clear Block Lock-Bits)
I
PPWS
V
PP
Write or Block Erase Suspend
I
PPES
Current
1, 7
35
mA
V
PP
= 5.0±0.5 V
I
CCE
1, 7
30
mA
V
PP
= 5.0±0.5 V
1, 2
1
10
mA
CE# = V
IH
1
1
1
±2
10
0.1
±15
200
5
μA
μA
μA
V
PP
≤
V
CC
V
PP
> V
CC
RP# = GND±0.2 V
I
PPW
1, 7
80
mA
V
PP
= 5.0±0.5 V
1, 7
40
mA
V
PP
= 5.0±0.5V
1
10
200
μA
V
PP
= V
PPH1
6.2.3 DC CHARACTERISTICS
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PDF描述
LH28F800BJB-PBTL10 Flash ROM
LH28F800BJB-PBTL90 Flash ROM
LH28F800BJB-PTTL10 Flash ROM
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參數(shù)描述
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LH28F640SP 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:64Mbit (4Mbitx16/8Mbitx8) Page Flash Memory
LH28F640SPHT-PL12A 功能描述:閃存 64MB X8/X16 3V DUAL SUPPLY RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
LH28F640SPHT-PTL12 功能描述:IC FLASH 64MBIT 120NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
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