參數(shù)資料
型號： LH28F160S3HNS-L12
元件分類： EEPROM
英文描述： EEPROM
中文描述： EEPROM的
文件頁數(shù)： 16/56頁
文件大小： 373K
代理商： LH28F160S3HNS-L12
LH28F160S5-L/S5H-L
4.5.4 DEVICE GEOMETRY DEFINITION
This field provides critical details of the flash device geometry.
Table 9 Device Geometry Definition
OFFSET
LENGTH
DESCRIPTION
(Word Address)
27H
01H
Device Size
15H (15H = 21, 2
21
= 2 097 152 = 2 M Bytes)
Flash Device Interface Description
02H, 00H (x8/x16 supports x8 and x16 via BYTE#)
Maximum Number of Bytes in Multi Word/Byte Write
05H, 00H (2
5
= 32 Bytes )
Number of Erase Block Regions within Device
01H (symmetrically blocked)
The Number of Erase Blocks
1FH, 00H (1FH = 31
31 + 1 = 32 Blocks)
The Number of "256 Bytes" cluster in a Erase Block
00H, 01H (0100H = 256
256 Bytes x 256 = 64k Bytes in a Erase Block)
28H, 29H
02H
2AH, 2BH
02H
2CH
01H
2DH, 2EH
02H
2FH, 30H
02H
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
LH28F160S3HR-L10 x8/x16 Flash EEPROM
LH28F160S3HR-L13 EEPROM|FLASH|1MX16/2MX8|CMOS|TSSOP|56PIN|PLASTIC
LH28F160S3HT-L10 x8/x16 Flash EEPROM
LH28F160S3HT-L13 EEPROM|FLASH|1MX16/2MX8|CMOS|TSSOP|56PIN|PLASTIC
LH28F160S3NS-L13 EEPROM|FLASH|1MX16/2MX8|CMOS|SOP|56PIN|PLASTIC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
LH28F160S3HNS-L13 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:16-MBIT(2MBx8/1MBx16) Smart 3 Flash MEMORY
LH28F160S3HNS-TV 功能描述:IC FLASH 16MBIT 100NS 56SSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
LH28F160S3HR-L10 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM
LH28F160S3HR-L13 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM|FLASH|1MX16/2MX8|CMOS|TSSOP|56PIN|PLASTIC
LH28F160S3HT-L10 制造商:Sharp Microelectronics Corporation 功能描述:NOR Flash Parallel 3V 16Mbit 2M/1M x 8bit/16bit 100ns 56-Pin TSOP
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