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參數(shù)資料
| 型號： | LFXP20E-5FN484C |
| 廠商： | Lattice Semiconductor Corporation |
| 文件頁數(shù)： | 137/397頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC FPGA 19.7KLUTS 340I/O 484-BGA |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 60 |
| 系列： | XP |
| 邏輯元件/單元數(shù)： | 20000 |
| RAM 位總計： | 405504 |
| 輸入/輸出數(shù)： | 340 |
| 電源電壓： | 1.14 V ~ 1.26 V |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 工作溫度： | 0°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 484-BBGA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 484-FPBGA（23x23） |
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LatticeECP/EC and LatticeXP
Lattice Semiconductor
DDR Usage Guide
10-2
Figure 10-2. DQ-DQS During READ
Figure 10-3. DQ-DQS During WRITE
Implementing DDR Memory Interfaces with the LatticeECP/EC Devices
This section describes how to implement the read and write sections of a DDR memory interface. It also provides
details of the DQ and DQS grouping rules associated with the LatticeECP/EC and LatticeXP devices.
DQS Grouping
Each DQS group generally consists of at least 10 I/Os (1DQS, 8DQ and 1DM) to implement a complete 8-bit DDR
memory interface. In the LatticeECP/EC devices each DQS signal will span across 16 I/Os and in the LatticeXP
devices the DQS will span 14 I/Os. Any 10 of these 16 I/Os can be used to implement an 8-bit DDR memory inter-
face. In addition to the DQS grouping, the user must also assign one reference voltage VREF1 for a given I/O bank.
The tables below show the total number of DQS groups available per I/O bank for each device and package.
DQS
(at PIN)
Preamble
Postamble
DQS PIN to
REG and 90
Degree
Phase Shift
DQ
(at PIN)
DQS
(at REG)
DQ
(at REG)
DQS
(at PIN)
DQ
(at PIN)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LFXP20C-5FN484C | IC FPGA 19.7KLUTS 340I/O 484-BGA |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| LFXP217E5CFN484C | 制造商:LATTICE 制造商全稱:Lattice Semiconductor 功能描述:LatticeXP2 Family Data Sheet |
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