參數(shù)資料
型號： LFX125EB-04F256I
廠商： Lattice Semiconductor Corporation
文件頁數(shù)： 29/119頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC FPGA 139K GATES 256-BGA
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 90
系列： ispXPGA®
邏輯元件/單元數(shù)： 1936
RAM 位總計： 94208
輸入/輸出數(shù)： 160
門數(shù)： 139000
電源電壓： 2.3 V ~ 3.6 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： -40°C ~ 105°C
封裝/外殼： 256-BGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 256-FPBGA（17x17）
其它名稱： 220-1238
Lattice Semiconductor
ispXPGA Family Data Sheet
13
Figure 13. EBR Synchronous Read Timing Diagram
Synchronous Write: The WE signal controls the synchronous write operation. When the WE signal is high, the
write operation begins. Once the address and data are present and the Output Enable (OE) is active, a rising clock
edge (or falling edge depending on polarity) causes the data to be stored into the EBR. Figure 14 illustrates the
synchronous write timing.
Figure 14. EBR Synchronous Write Timing Diagram
Asynchronous Read: The WE signal controls the asynchronous read operation. When the WE signal is low, the
read operation begins. Shortly after the address is present, the stored data is available on the DATA port. Figure 15
illustrates the asynchronous read timing. For more information about the EBR, refer to TN1028 ispXPGA Memory
Figure 15. EBR Asynchronous Read Timing Diagram
WE
CLK
CE
DATA
ADDR
OE
Valid Data
Invalid Data
Valid Data
t
EBWEEN
t
EBADDS
t
EBCO
t
EBWES
t
EBCES
t
EBCPW
t
EBOEDIS
t
EBOEEN
t
EBCEH
t
EBWEH
t
EBWEDIS
t
EBADDH
WE
CLK
WRITE
DATA
ADDR
WRITE
t
EBWEH
t
EBADDS
t
EBADDH
t
EBDATAS
t
EBDATAH
t
EBPW
t
EBWES
WE
DATA
ADDR
OE
DATA1
Invalid Data
DATA1
ADDR0
ADDR1
ADDR2
DATA0
t
EBWEEN
t
EBARADO
t
EBOEDIS
t
EBOEEN
t
EBWEDIS
t
EBARAD_H
SELECT
DEVICES
DISCONTINUED
相關(guān)PDF資料
PDF描述
EBC25DCMN-S288 CONN EDGECARD 50POS .100 EXTEND
EBC25DCMH-S288 CONN EDGECARD 50POS .100 EXTEND
GBC05DRYI CONN EDGECARD 10POS DIP .100 SLD
EBC25DCMD-S288 CONN EDGECARD 50POS .100 EXTEND
LFXP15C-4FN256C IC FPGA 15.5KLUTS 188I/O 256-BGA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
LFX125EB-04F516C 功能描述:FPGA - 現(xiàn)場可編程門陣列 139K 176 I/O ispJTAG RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 柵極數(shù)量: 邏輯塊數(shù)量:943 內(nèi)嵌式塊RAM - EBR:1956 kbit 輸入/輸出端數(shù)量:128 最大工作頻率:800 MHz 工作電源電壓:1.1 V 最大工作溫度:+ 70 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FBGA-256
LFX125EB-04F516I 功能描述:FPGA - 現(xiàn)場可編程門陣列 139K 176 I/O ispJTAG RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 柵極數(shù)量: 邏輯塊數(shù)量:943 內(nèi)嵌式塊RAM - EBR:1956 kbit 輸入/輸出端數(shù)量:128 最大工作頻率:800 MHz 工作電源電壓:1.1 V 最大工作溫度:+ 70 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FBGA-256
LFX125EB-04FH516C 功能描述:FPGA - 現(xiàn)場可編程門陣列 Use LFX125EB-04F516C RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 柵極數(shù)量: 邏輯塊數(shù)量:943 內(nèi)嵌式塊RAM - EBR:1956 kbit 輸入/輸出端數(shù)量:128 最大工作頻率:800 MHz 工作電源電壓:1.1 V 最大工作溫度:+ 70 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FBGA-256
LFX125EB-04FH516I 功能描述:FPGA - 現(xiàn)場可編程門陣列 Use LFX125EB-04F516I RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 柵極數(shù)量: 邏輯塊數(shù)量:943 內(nèi)嵌式塊RAM - EBR:1956 kbit 輸入/輸出端數(shù)量:128 最大工作頻率:800 MHz 工作電源電壓:1.1 V 最大工作溫度:+ 70 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FBGA-256
LFX125EB-04FN256C 功能描述:FPGA - 現(xiàn)場可編程門陣列 E-Ser139K Gt ispJTAG 2.5/3.3V -4 Spd RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 柵極數(shù)量: 邏輯塊數(shù)量:943 內(nèi)嵌式塊RAM - EBR:1956 kbit 輸入/輸出端數(shù)量:128 最大工作頻率:800 MHz 工作電源電壓:1.1 V 最大工作溫度:+ 70 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FBGA-256
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*