參數(shù)資料
型號： LET21030C
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology
中文描述： RF功率晶體管LDMOS的增強(qiáng)技術(shù)
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 62K
代理商： LET21030C
LET21030C
2/4
ELECTRICAL SPECIFICATION
(T
CASE
= 25
°
C)
STATIC
(Per Section)
Symbol
V
(BR)DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS(Q)
V
DS(ON)
G
FS
C
ISS
*
C
OSS
C
RSS
ESD PROTECTION CHARACTERISTICS
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS
= 0 V I
D
= 20
μ
A
V
GS
= 0 V
V
GS
= 5 V V
DS
= 0 V
V
DS
= 28 V
V
GS
= 10 V
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
65
V
V
DS
= 26 V
1
μ
A
μ
A
1
I
D
= TBD
I
D
= 1 A
I
D
= 1 A
V
DD
= 26 V
V
DD
= 26 V
V
DS
= 26 V
2
4.5
V
0.29
0.4
V
2
mho
f = 1 MHz
TBD
pF
f = 1 MHz
TBD
pF
f = 1 MHz
TBD
pF
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
DYNAMIC
(f = 2170 MHz)
P
OUT(1)
η
D(1)
V
DD
= 26 V I
DQ
= TBD
30
35
W
V
DD
= 26 V I
DQ
= TBD
45
50
%
Load
mismatch
V
DD
= 26 V P
OUT
= 30 W
ALL PHASE ANGLES
10:1
VSWR
DYNAMIC
(f = 2110 - 2170 MHz)
P
OUT(1)
η
D(1)
G
P
V
DD
= 26 V I
DQ
= TBD
25
30
W
V
DD
= 26 V I
DQ
= TBD
40
45
%
V
DD
= 26 V
I
DQ
= TBD mA P
OUT
= 30 W
11
dB
P
OUT(W-CDMA)(2)
ACPR -45 dBc
5
W
η
D(W-CDMA)(2)
ACPR -45 dBc
20
%
Test Conditions
Class
2
M3
Human Body Model
Machine Model
* Including input matching capacitor in package
(1) 1 dB Compression point
(2) +/- 5 MHz offset; 3.84 MHz Bandwitdh
相關(guān)PDF資料
PDF描述
LET8180 RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology
LET9002 RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology in Plastic Package
LET9006 528830494
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LET9060C RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology
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