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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | LD262 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | 紅外LED |
| 英文描述： | GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays |
| 中文描述： | 2 ELEMENT, INFRARED LED, 950 nm |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 43K |
| 代理商： | LD262 |
LD 260
LD 262 ... LD 269
Semiconductor Group
3
1997-11-01
Kennwerte
(
T
A
= 25
°
C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlnge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 50 mA,
t
p
= 20 ms
Spektrale Bandbreite bei 50 % von
I
max
Spectral bandwidth at 50 % of
I
max
I
F
= 50 m A,
t
p
= 20 ms
Abstrahlwinkel
Half angle
950
nm
λ
55
nm
±
15
Grad
deg.
mm
2
Aktive Chipflche
Active chip area
A
0.25
Abmessungen der aktive Chipflche
Dimension of the active chip area
L
×
B
L
×
W
H
0.5
×
0.5
mm
Abstand Chipoberflche bis Linsenscheitel
Distance chip surface to lens top
1.3 ... 1.9
mm
Schaltzeiten,
I
e
von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10%, bei
I
F
= 50 mA,
R
L
= 50
Switching times,
I
e
from 10 % to 90 % and
from 90 % to 10 %,
I
F
= 50 mA,
R
L
= 50
Kapazitt,
V
R
= 0 V
Capacitance
Durchlaspannung,
I
F
= 50 mA,
t
p
= 20
μ
s
Forward voltage
Sperrstrom,
V
R
= 5 V
Reverse current
Gesamtstrahlungsflu,
I
F
= 50 mA,
t
p
= 20 ms
Total radiant flux
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
Φ
e
,
I
F
= 50 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
Φ
e
,
I
F
= 50 mA
Temperaturkoeffizient von
V
F
,
I
F
= 50 mA
Temperature coefficient of
V
F
,
I
F
= 50 mA
Temperaturkoeffizient von
λ
peak
,
I
F
= 50 mA
Temperature coefficient of
λ
peak
,
I
F
= 50 mA
Strahlstrke,
I
F
= 50 mA,
t
p
= 20 ms
Radiant intensity
t
r
,
t
f
1
μ
s
C
o
40
pF
V
F
1.25
(≤
1.4)
V
I
R
0.01
(≤
1
)
μ
A
Φ
e
9
mW
TC
I
– 0.55
%/K
TC
V
– 1.5
mV/K
TC
λ
0.3
nm/K
I
e
typ. 5 (
≥
2.5)
mW/sr
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LD271 | GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter |
| LD271H | GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter |
| LD271HL | GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter |
| LD271L | INFRARD EMITTER |
| LD271LH | INFRARD EMITTER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LD263 | 制造商:OSRAM 功能描述:IR Emitter,950 nm,2 Emitters,15deg,LD263 |
| LD264 | 功能描述:EMITTER ARRAY MINI GAAS 950NM RoHS:是 類別:光電元件 >> 紅外發(fā)射極 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,200 系列:- 電流 - DC 正向(If):100mA 輻射強(qiáng)度(le)最小值@正向電流:27mW/sr @ 100mA 波長(zhǎng):940nm 正向電壓:1.6V 視角:40° 方向:頂視圖 安裝類型:通孔 封裝/外殼:徑向 包裝:帶卷 (TR) |
| LD264-SAMPLE | 制造商:OSRAM 功能描述:SAMPLE EMITTER, IR, PLASTIC, 4 ELEMENT - Bulk |
| LD265 | 制造商:OSRAM 功能描述:IR Emitter,950nm,5 elem,+/-15deg,LD 265 |
| LD266 | 制造商:OSRAM 功能描述:IR Emitter,950nm,6 elem,+/-15deg,LD 266 |
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