參數(shù)資料
型號： LD262
廠商： SIEMENS A G
元件分類： 紅外LED
英文描述： GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays
中文描述： 2 ELEMENT, INFRARED LED, 950 nm
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 43K
代理商： LD262
Semiconductor Group
1
1997-11-01
GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen
GaAs Infrared Emitter Arrays
Wesentliche Merkmale
G
GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im
Schmelzepitaxieverfahren
G
Hohe Zuverlssigkeit
G
Gehusegleich mit BPX 80-Serie
Anwendungen
G
Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
G
Lochstreifenleser
G
Industrieelektronik
G
“Messen/Steuern/Regeln”
Features
G
GaAs infrared emitting diode, fabricated in a
liquid phase epitaxy process
G
High reliability
G
Same package as BPX 80 series
Applications
G
Miniature photointerrupters
G
Punched tape-readers
G
Industrial electronics
G
For control and drive circuits
LD 260
LD 262 ... LD 269
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
f
f
GEO06367
7.4
7.0
0.7
0.6
Collector (BPX 83)
Cathode (LD 263)
2.54 mm
spacing
1.5
2.1
2
2
3
3
3
3
1
1
position
Chip
0.25
0.15
0... 5
1.4
1.0
A
0.4
0.4
0.5
A
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PDF描述
LD271 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter
LD271H GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter
LD271HL GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter
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參數(shù)描述
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LD265 制造商:OSRAM 功能描述:IR Emitter,950nm,5 elem,+/-15deg,LD 265
LD266 制造商:OSRAM 功能描述:IR Emitter,950nm,6 elem,+/-15deg,LD 266
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