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參數(shù)資料
| 型號： | LD271 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | 紅外LED |
| 英文描述： | GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter |
| 中文描述： | 4.95 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 950 nm |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 41K |
| 代理商： | LD271 |
Semiconductor Group
1
1997-11-01
GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter
Wesentliche Merkmale
G
GaAs-IR-LED, hergestellt im
Schmelzepitaxieverfahren
G
Hohe Zuverlssigkeit
G
Hohe Impulsbelastbarkeit
G
Lange Anschlüsse
G
Gruppiert lieferbar
G
Gehusegleich mit SFH 300, SFH 203
Anwendungen
G
IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgerten, Videorecordern,
Lichtdimmern
G
Gertefernsteuerungen
G
Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Features
G
GaAs infrared emitting diode, fabricated in a
liquid phase epitaxy process
G
High reliability
G
High pulse handling capability
G
long leads
G
Available in groups
G
Same package as SFH 300, SFH 203
Applications
G
IR remote control of hi-fi and TV-sets, video
tape recorders, dimmers
G
Remote control of various equipment
G
Photointerrupters
LD 271, LD 271 H
LD 271 L, LD 271 HL
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
f
7.8
7.5
9.0
8.2
29
27
1.8
1.2
4.8
4.2
0
0
0
0
2
s
5.9
5.5
0.6
0.4
Area not flat
Chip position
Cathode
Approx. weight 0.2 g
GEO06645
5.9
5.5
0.6
0.4
2
s
7.8
7.5
9.0
8.2
4.8
4.2
11.4
11.0
14.0
13.0
1.8
1.2
1
1
Area not flat
0.6
0.4
Cathode
Chip position
GEX06239
Approx. weight 0.5 g
1
0
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LD271H | GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter |
| LD271HL | GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter |
| LD271L | INFRARD EMITTER |
| LD271LH | INFRARD EMITTER |
| LD273 | TWO CHIP INFRARED EMITTER |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LD271 | 制造商:OSRAM 功能描述:IR EMITTER 5MM 950NM |
| LD27128A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 EPROM |
| LD27128A-2 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 EPROM |
| LD27128A-20 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 EPROM |
| LD27128A-25 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 EPROM |
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