參數(shù)資料
型號: LD262
廠商: SIEMENS A G
元件分類: 紅外LED
英文描述: GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays
中文描述: 2 ELEMENT, INFRARED LED, 950 nm
文件頁數(shù): 2/4頁
文件大?。?/td> 43K
代理商: LD262
Semiconductor Group
2
1997-11-01
LD 260
LD 262 ... LD 269
Grenzwerte
(
T
A
= 25
°
C)
Maximum Ratings
Typ
Type
IRED
pro Zeile
per Row
Ma “A”
Dimension “A”
Bestellnummer
Ordering Code
Gehuse
Package
min.
4.5
max.
4.9
LD 262
2
Q62703-Q70
Zeilenbauform, Leiterbandgehuse,
klares Epoxy-Gieharz, linsenfrmig,
Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (
1
/
10
’’),
Kathodenkennzeichnung:
Nase am Ltspie
Lead frame arrays, transparent epoxy
resin lens, solder tabs, lead spacing
2.54 mm (
1
/
10
’’), cathode marking:
projection at solder lead
LD 263
3
7
7.4
Q62703-Q71
LD 264
4
9.6
10
Q62703-Q72
LD 265
5
12.1
12.5
Q62703-Q73
LD 266
6
14.6
15
Q62703-Q74
LD 267
7
17.2
17.6
Q62703-Q75
LD 268
8
19.7
20.1
Q62703-Q76
LD 269
9
22.3
22.7
Q62703-Q77
LD 260
10
24.8
25.2
Q62703-Q78
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
T
op
;
T
stg
Wert
Value
– 40 ... + 80
Einheit
Unit
°
C
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
T
j
80
°
C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
5
V
Durchlastrom
Forward current
Stostrom,
τ ≤
10
μ
s,
D
= 0
Surge current
I
F
50
mA
I
FSM
1.6
A
Verlustleistung
Power dissipation
P
tot
70
mW
Wrmewiderstand
Thermal resistance
R
thJA
R
thJL
750
650
K/W
K/W
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PDF描述
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LD271H GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter
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參數(shù)描述
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