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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | LC35V1000BM |
| 廠商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | Asynchronous Silicon Gate 1M (131,072 words x 8 bits) SRAM |
| 中文描述： | 異步硅門100萬（131072字× 8位）的SRAM |
| 文件頁數(shù)： | 7/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 178K |
| 代理商： | LC35V1000BM |
No. 7056-7/9
LC35V1000BM, BTS-70U
Write cycle (2) (CE1 write)
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5
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4
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4
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3
Write cycle (2) (CE2 write)
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5
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4
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4
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3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LC35V1000BTS-70U | Asynchronous Silicon Gate 1M (131,072 words x 8 bits) SRAM |
| LC35V256ET-70W | 256K (32K words x 8 bits) SRAM Control pins: OE and CE |
| LC35V256EM | 256K (32K words x 8 bits) SRAM Control pins: OE and CE |
| LC35V256EM-70W | 256K (32K words x 8 bits) SRAM Control pins: OE and CE |
| LC35W1000BM | Asynchronous Silicon Gate 1M (131,072 words x 8 bits) SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LC35V1000BM-70U | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述: |
| LC35V1000BTS | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述: |
| LC35V1000BTS-70U | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Asynchronous Silicon Gate 1M (131,072 words x 8 bits) SRAM |
| LC35V256EM | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:256K (32K words x 8 bits) SRAM Control pins: OE and CE |
| LC35V256EM-70W | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:256K (32K words x 8 bits) SRAM Control pins: OE and CE |
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