參數(shù)資料
型號： L6382D_07
廠商： 意法半導體
英文描述： Power management unit for microcontrolled ballast
中文描述： 微控鎮(zhèn)流器功率管理單元
文件頁數(shù)： 21/22頁
文件大小： 272K
代理商： L6382D_07
L6382D
Revision history
21/22
10
Revision history
Table 7. Revision history
Date
Revision
Changes
15-Nov-2004
1
First Issue
03-Jan-2005
2
Changed from “Preliminary Data” to “Final Datasheet”
23-Oct-2005
3
Many modified
19-Apr-2006
4
New template
22-May-2006
5
Typo error in block diagram, updated values in electrical
charcteristics
Table 4.
21-Mar-2007
6
Typo on
Table 2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
L6382D5 POWER MANAGEMENT UNIT FOR MICROCONTROLLED BALLAST
L6382D5TR POWER MANAGEMENT UNIT FOR MICROCONTROLLED BALLAST
L6382D Power management unit for microcontrolled ballast
L6382DTR Power management unit for microcontrolled ballast
L6384 High-Voltage Half Bridge Driver(高電壓半橋驅(qū)動器)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
L6382D5 功能描述:功率因數(shù)校正 IC Pwr management unit RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 開關(guān)頻率:300 KHz 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Reel
L6382D5TR 功能描述:功率因數(shù)校正 IC Pwr management unit RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 開關(guān)頻率:300 KHz 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Reel
L6382DTR 功能描述:電池管理 Pwr management unit RoHS:否 制造商:Texas Instruments 電池類型:Li-Ion 輸出電壓:5 V 輸出電流:4.5 A 工作電源電壓:3.9 V to 17 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:VQFN-24 封裝:Reel
L6384 功能描述:功率驅(qū)動器IC Hi-Volt Half Bridge RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
L6384 制造商:STMicroelectronics 功能描述:600V HALF BRIDGE DRIVER 6384 DIP8
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