參數(shù)資料
型號(hào): KSB798
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi): 功率晶體管
英文描述: Audio Frequency Power Amplifier
中文描述: 1 A, 25 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: SOT-89, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 42K
代理商: KSB798
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, June 2001
K
Typical Characteristics
Figure 1. Static Characteristic
Figure 2. DC current Gain
Figure 3. Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 4. Collector Output Capacitance
Figure 5. Current Gain Bandwidth Product
Figure 6. Safe Operating Area
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9
-10
0.0
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
-0.5
-0.6
-0.7
-0.8
-0.9
-1.0
I
B
= -8mA
B
= -I
I
B
= I
B
= -5mA
I
B
= -3mA
I
B
= -2mA
I
B
= -4mA
I
B
= -1mA
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
-10
-100
-1000
1
10
100
1000
V
CE
= -1V
h
F
,
I
C
[mA], COLLECTOR CURRENT
-1
-10
-100
-1000
-0.01
-0.1
-1
-10
I
C
= 10 I
B
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
V
B
(
C
(
I
C
[mA], COLLECTOR CURRENT
-1
-10
-100
1
10
100
f = 1MHz
I
E
=0
C
o
[
V
CB
[V], COLLECTOR-BASE VOLTAGE
10
100
100
1
10
V
CE
= -6V
f
T
[
I
C
[mA], COLLECTOR CURRENT
-1
-10
-100
-0.01
-0.1
-1
-10
1.T
C
=25
2.Single pulse
o
C
200m
DC
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
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KSB798GTF_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP/25V/1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSB798YTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSB798YTF_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2