參數(shù)資料
型號： KSB906
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER
中文描述： 3000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-251
封裝： IPAK-3
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 66K
代理商： KSB906
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, June 2001
K
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
I
B
Base Current
P
C
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
P
C
Collector Dissipation (T
a
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE1
h
FE2
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(on)
Base-Emitter ON Voltage
f
T
Current Gain Bandwidth Product
C
ob
Output Capacitance
t
ON
Turn ON Time
t
STG
Storage Time
t
F
Fall Time
h
FE
Classification
Classification
Parameter
Value
- 60
- 60
- 7
- 3
- 0.5
20
1
150
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
A
A
W
W
°
C
°
C
Test Condition
I
C
= - 50mA, I
B
= 0
V
CB
= - 60V, I
E
= 0
V
EB
= - 7V, I
C
= 0
V
CE
= - 5V, I
C
= - 0.5A
V
CE
= - 5V, I
C
= - 3A
I
C
= - 3A, I
B
= - 0.3A
V
CE
= - 5V, I
C
= - 0.1A
V
CE
= - 5V, I
C
= - 0.5A
V
CB
= - 10V, f = 1MHz
V
CC
= -30V, I
C
= - 1A
I
B1
= - I
B2
= - 0.2A
R
L
= 30
Min.
- 60
Typ.
Max.
Units
V
μ
A
μ
A
- 100
- 100
200
DC Current Gain
60
20
- 1
- 1
9
150
0.4
1.7
0.5
- 1.7
- 1.5
V
V
MHz
pF
μ
s
μ
s
μ
s
O
Y
h
FE
60 ~ 120
100 ~ 200
KSB906
Low Frequency Power Amplifier
Low Collector- Emitter Saturation Voltage
Complement to KSD1221
1. Base 2. Collector 3. Emitter
I-PAK
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KSB907 Power Amplifier Applications
KSC-WA1001 AKTIVE SUB-TUBE
KSC-WA100 AKTIVER SUBWOOFER
KSC1070 NPN (UHF TV TUNER RF AMPLIFIERLIFIER, MIXER)
KSC1072 NPN (LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KSB906YTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSB907 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Power Amplifier Applications
KSB907TU 功能描述:達林頓晶體管 PNP Silicon Darl RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
KSBC1 制造商:MMD 制造商全稱:MMD Components 功能描述:Plastic SMD Package
KSBC3 制造商:MMD 制造商全稱:MMD Components 功能描述:Plastic SMD Package
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