參數資料
型號： KSB906
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER
中文描述： 3000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-251
封裝： IPAK-3
文件頁數： 3/4頁
文件大?。?/td> 66K
代理商： KSB906
Package Demensions
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, June 2001
K
Dimensions in Millimeters
6.60
±
0.20
0.76
±
0.10
MAX0.96
2.30TYP
[2.30
±
0.20]
2.30TYP
[2.30
±
0.20]
0
±
0
0
±
0
1
±
0
9
±
0
1
±
0
6
±
0
0
±
0
5.34
±
0.20
0.50
±
0.10
0.50
±
0.10
2.30
±
0.20
(0.50)
(0.50)
(4.34)
I-PAK
相關PDF資料
PDF描述
KSB907 Power Amplifier Applications
KSC-WA1001 AKTIVE SUB-TUBE
KSC-WA100 AKTIVER SUBWOOFER
KSC1070 NPN (UHF TV TUNER RF AMPLIFIERLIFIER, MIXER)
KSC1072 NPN (LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER)
相關代理商/技術參數
參數描述
KSB906YTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSB907 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Power Amplifier Applications
KSB907TU 功能描述:達林頓晶體管 PNP Silicon Darl RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
KSBC1 制造商:MMD 制造商全稱:MMD Components 功能描述:Plastic SMD Package
KSBC3 制造商:MMD 制造商全稱:MMD Components 功能描述:Plastic SMD Package
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯系方式

*
*
*