參數(shù)資料
型號(hào)： KSB810
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Audio Frequency Amplifier
中文描述： 700 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： TO-92S, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 36K
代理商： KSB810
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, June 2001
K
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current (DC)
I
CP
* Collector Current (Pulse)
P
C
Collector Power Dissipation
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
*
PW
≤
10ms, Duty cycle
≤
50
%
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE1
h
FE2
V
BE
(on)
* Base-Emitter on Voltage
V
CE
(sat)
* Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(sat)
* Base-Emitter Saturation Voltage
C
ob
Output Capacitance
f
T
Current Gain Bandwidth Product
* Pulse Test: PW
≤
350
μ
s, Duty cycle
≤
2%
h
FE
Classification
Classification
Parameter
Ratings
-30
-25
-5.0
-700
-1.0
350
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
mA
A
mW
°
C
°
C
Test Condition
V
CB
= -30V, I
E
=0
V
EB
= -5V, I
C
=0
V
CE
= -1V, I
C
= -100mA
V
CE
= -1V, I
C
= -700mA
V
CE
= -6V, I
C
= -10mA
I
C
= -700mA, I
B
= -70mA
I
C
= -700mA, I
B
= -70mA
V
CB
= -6V, I
E
=0, f=1MHz
V
CE
= -6V, I
C
=-10mA
Min.
Typ.
Max.
-100
-100
400
Units
nA
nA
* DC Current Gain
70
35
-600
200
100
-640
-0.25
-0.95
17
160
-700
-0.4
-1.2
40
mV
V
V
pF
MHz
50
O
Y
G
h
FE1
70 ~ 140
120 ~ 240
200 ~ 400
KSB810
Audio Frequency Amplifier
Complement to KSD1020
1.Emitter 2. Collector 3. Base
TO-92S
1
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KSB810OTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSB810YBU 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSB810YTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSB810YTA_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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