參數(shù)資料
型號(hào)： KSB798
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Audio Frequency Power Amplifier
中文描述： 1 A, 25 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： SOT-89, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 42K
代理商： KSB798
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, June 2001
K
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current (DC)
I
CP
* Collector Current (Pulse)
P
C
Collector Power Dissipation
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
* P
W
≤
10
ms, Duty cycle
≤
50%
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE1
h
FE2
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(on)
Base-Emitter On Voltage
f
T
Current Gain Bandwidth Product
C
ob
Output Capacitance
h
FE
Classification
Classification
h
FE1
Parameter
Ratings
-30
-25
-5
-1.0
-1.5
2.0
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
A
A
W
°
C
°
C
Test Condition
I
C
= -100
μ
A, I
E
=0
I
C
= -1mA, I
B
=0
I
E
= -100
μ
A, I
C
=0
V
CB
= -30V, I
E
=0
V
EB
= -5V, I
C
=0
V
CE
= -1V, I
C
= -0.1A
V
CE
= -1V, I
C
= -1.0A
I
C
= -1.0A, I
B
= -0.1A
I
C
= -1.0A, I
B
= -0.1A
V
CE
= -6V, I
C
= -10mA
V
CE
= -6V, I
C
= -10mA
V
CB
= -6V, I
E
=0, f=1MHz
Min.
-30
-25
-5
Typ.
Max.
Units
V
V
V
μ
A
μ
A
-0.1
-0.1
400
DC Current Gain
90
50
-0.4
-1.2
-0.7
V
V
V
-0.6
110
18
MHz
pF
O
Y
G
90 ~ 180
135 ~ 270
200 ~ 400
KSB798
Audio Frequency Power Amplifier
Collector Current : I
C
= -1A
Collector Power Dissipation : P
C
= 2W
SLX
Marking
h
FE
Grade
1. Base 2. Collector 3. Emitter
SOT-89
1
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PDF描述
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KSB798GTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP/25V/1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSB798GTF_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP/25V/1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSB798YTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSB798YTF_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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