參數(shù)資料
型號： KSB795
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Audio Frequency Power Amplifier
中文描述： 1500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 47K
代理商： KSB795
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, June 2001
K
PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
V
CBO
Collector-Base Volage
* PW
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
10%
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
CER
Collector Cut-off Current
I
CEX1
Collector Cut-off Current
I
CEX2
Collector Cut-off Current
* Pulse Test: PW
≤
350
μ
s, Duty Cycle
≤
2% Pulsed.
h
FE
Classificntion
Classification
Value
Units
: KSB794
: KSB795
- 60
- 80
V
V
V
CEO
Collector-Emitter Volage
: KSB794
: KSB795
- 60
- 80
- 8
- 1.5
- 3
- 0.15
1
10
150
- 55 ~ 150
V
V
V
A
A
A
W
W
°
C
°
C
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
P
C
TJ
T
STG
Emitter-Base Voltage
Collector Current (DC)
*Collector Current (Pulse)
Base Current (DC)
Collector Dissipation (T
a
=25
°
C)
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
Junction Temperature
Storage Temperature
Test Condition
Min.
Max.
- 10
- 1
- 10
-1
Units
μ
A
mA
μ
A
mA
V
CB
= - 60V, I
E
= 0
V
CE
= - 60V, R
BE
= 51
@ T
C
= 125
°
C
V
CE
= - 60V, V
BE
(off) = 1.5V
V
CE
= - 60V, V
BE
(off) = 1.5V
@ T
C
= 125
°
C
V
EB
= - 5V, I
C
= 0
V
CE
= - 2V, I
C
= - 0.5A
V
CE
= - 2V, I
C
= - 1A
I
C
= - 1A, I
B
= - 1mA
I
C
= - 1A, I
B
= - 1mA
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
Emitter Cut-off Current
* DC Current Gain
- 1
mA
1000
2000
30000
-1.5
- 2
* Collector-Emitter Saturation Voltage
* Base-Emitter Saturation Voltage
V
V
R
O
Y
h
FE2
2000 ~ 5000
4000 ~ 10000
8000 ~ 30000
KSB794/795
Audio Frequency Power Amplifier
Low Speed Switching Industrial Use
R1
.
= 10 k
R2
.
= 500
1
1. Emitter 2.Collector 3.Base
TO-126
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PDF描述
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KSB798 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP Epitaxial Silicon Transistor
KSB798_05 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP Epitaxial Silicon Transistor
KSB798GTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP/25V/1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSB798GTF_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP/25V/1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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