參數(shù)資料
型號： KSB1121
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： High Current Driver Applications
中文描述： 2000 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 43K
代理商： KSB1121
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1.50
±
0.20
C0.2
1.50 TYP 1.50 TYP
(
SOT-89
Package Demensions
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, June 2001
K
Dimensions in Millimeters
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PDF描述
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KSB1121STM 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial Planar RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSB1121TTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Planar Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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