參數資料
型號： KSB1149
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Low Collector Saturation Voltage Built-in Damper Diode at E-C
中文描述： 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
文件頁數： 1/4頁
文件大?。?/td> 46K
代理商： KSB1149
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000
K
PNP Silicon Darlington Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current (DC)
I
CP
*Collector Current (Pulse)
P
C
Collector Dissipation (T
a
=25
°
C)
P
C
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
* PW
≤
10ms, Duty Cycle
≤
50%
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE1
h
FE2
V
CE
(sat)
* Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(sat)
* Base-Emitter Saturation Voltage
t
ON
Turn ON Time
t
STG
Storage Time
t
F
Fall Time
* Pulse test: PW
≤
350
μ
s, duty Cycle
≤
2% Pulsed
h
FE
Classification
Classification
h
FE1
Value
- 100
- 100
- 8
- 3
- 5
1.3
15
150
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
A
A
W
W
°
C
°
C
Test Condition
V
CB
= - 100V, I
E
= 0
V
EB
= - 5V, I
C
= 0
V
CE
= - 2V, I
C
= - 1.5A
V
CE
= - 2V, I
C
= - 3A
I
C
= - 1.5A, I
B
= - 1.5mA
I
C
= - 1.5A, I
B
= - 1.5mA
V
CC
= - 40V, I
C
= - 1.5A
I
B1
= - I
B2
= - 1.5mA
R
L
= 27
Min.
Typ.
Max.
- 10
- 2
20000
Units
μ
A
mA
* DC Current Gain
2000
1000
- 0.9
- 1.5
0.5
2
1
- 1.2
- 2
V
V
μ
s
μ
s
μ
s
O
Y
G
2000 ~ 5000
4000 ~ 12000
6000 ~ 20000
KSB1149
Low Collector Saturation Voltage
Built-in Damper Diode at E-C
High DC Current Gain
High Power Dissipation : P
C
=1.3W (T
a
=25
°
C)
1
1. Emitter 2.Collector 3.Base
TO-126
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KSB1149YS 功能描述:達林頓晶體管 PNP Silicon Darl RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
KSB1149YSTU 功能描述:達林頓晶體管 PNP Silicon Darl RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
KSB1151 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Low Collector-Emitter Saturation Voltage Large Collector Current
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