參數(shù)資料
型號： KSB1149
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Low Collector Saturation Voltage Built-in Damper Diode at E-C
中文描述： 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 46K
代理商： KSB1149
2000 Fairchild Semiconductor International
K
Rev. A, February 2000
Typical Characteristics
Figure 1. Static Characteristic
Figure 2. DC current Gain
Figure 3. Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Saturation Voltage
Figure 4. Forward Bias Safe Operating Area
Figure 5. Derating Curve of Safe Operating Areas
Figure 6. Power Derating
-0
-1
-2
-3
-4
-5
-0
-1
-2
-3
-4
-5
I
B
=1mA
I
B
=-900uA
I
B
=-800uA
I
B
=-700uA
I
B
=-600uA
I
B
=-500uA
I
B
=-400uA
I
B
=-300uA
I
B
=-100uA
I
B
=-200uA
I
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
-0.01
-0.1
-1
-10
100
1000
10000
100000
V
CE
= -2V
Pulsed
h
F
,
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
-0.1
-1
-10
-0.1
-1
-10
-100
Ic = 1000 I
B
Pulsed
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
V
B
(
C
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
-1
-10
-100
500
-0.01
-0.1
-1
-10
10s
30s
Tc=25
Single Pulse
o
C
Ic(DC)
1m
Ic(Pulse)
DsspaionLmted
sbLme
10ms
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
25
50
75
100
125
150
175
200
0
20
40
60
80
100
120
140
160
DSSPATONLMTED
s/b LIMITED
d
T
[
T
C
[
o
C], CASE TEMPERATURE
0
25
50
75
100
125
150
175
0
5
10
15
20
P
C
[
T
C
[
o
C], CASE TEMPERATURE
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KSB1151 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Low Collector-Emitter Saturation Voltage Large Collector Current
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