參數(shù)資料
型號(hào)： KSB1366
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER
中文描述： 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-220F, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大小： 50K
代理商： KSB1366
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000
K
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current(DC)
I
B
Base Current
P
C
Collector Dissipation (T
a
=25
°
C)
P
C
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE1
h
FE2
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(on)
Base-Emitter ON Voltage
f
T
Current Gain Bandwidth Product
h
FE
Classification
Parameter
Value
- 60
- 60
- 7
- 3
- 0.5
2
25
150
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
A
A
W
W
°
C
°
C
Test Condition
I
C
= - 50mA, I
B
= 0
V
CB
= - 60V, I
E
= 0
V
EB
= - 7V, I
C
= 0
V
CE
= - 5V, I
C
= - 0.5A
V
CE
= - 5V, I
C
= - 3A
I
C
= - 2A, I
B
= - 0.2A
V
CE
= - 5V, I
C
= - 0.5A
V
CE
= - 5V, I
C
= - 0.5A
Min.
- 60
Typ.
Max.
Units
V
μ
A
μ
A
- 100
- 100
320
DC Current Gain
100
20
- 0.5
- 0.7
9
- 1
- 1
V
V
MHz
Classification
h
FE1
Y
G
100 ~ 200
150 ~ 320
KSB1366
LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER
Complement to KSD2012
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter
TO-220F
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KSB1366GTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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KSB1A010LFT 制造商:ITT 制造商全稱:ITT Industries 功能描述:Low-profile Tact Switch
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