參數(shù)資料
型號： KSB1097
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER
中文描述： 7 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-220F, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 47K
代理商： KSB1097
2000 Fairchild Semiconductor International
K
Rev. A, February 2000
Typical Characteristics
Figure 1. Static Characteristics
Figure 2. Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 3. Saturation Voltage
Figure 4. Power Derating
Figure 5. Power Derating
Figure 6. Safe Operating Area
-0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-0.0
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
-0.5
-0.6
-0.7
-0.8
-0.9
-1.0
I
B
= -20mA
I
B
= -18mA
I
B
= -16mA
I
B
= -14mA
I
B
= -12mA
I
B
= -10mA
I
B
= -8mA
I
B
= -6mA
I
B
= -4mA
I
B
= -2mA
I
C
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
1
-0.01
-0.1
-1
-10
10
100
1000
V
CE
= -1V
h
F
,
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
-1E-3
-0.01
-0.1
-1
-10
-0.01
-0.1
-1
-10
V
BE
(sat)
V
CE
(sat)
I
C
=10I
B
V
B
(
C
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0
25
50
75
100
125
150
175
200
0
5
10
15
20
25
30
35
40
P
D
Tc [
o
C], CASE TEMPERATURE
0
25
50
75
100
125
150
175
200
0
20
40
60
80
100
120
140
160
DISSIPATION LIMITED
s/b LIMITED
d
Tc [
O
C], CASE TEMPERATURE
-1
-10
-100
-1000
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
100mS
10mS
1mS
300uS
100uS
50uS
I
C
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
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PDF描述
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參數(shù)描述
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KSB1097RTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSB1097YTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSB1098 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Low Frequency Power Amplifier
KSB1098OTU 功能描述:達(dá)林頓晶體管 PNP Silicon Darl RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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