參數(shù)資料
型號(hào)： KSB1097
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER
中文描述： 7 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-220F, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 47K
代理商： KSB1097
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000
K
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current (DC)
I
CP
*Collector Current (Pulse)
I
B
Base Current
P
C
Collector Dissipation (T
a
=25
°
C)
P
C
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
* PW
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
10%
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE1
h
FE2
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(sat)
* Base-Emitter Saturation Voltage
* Pulse Test: PW
≤
350
μ
s, Duty Cycle
≤
2% Pulsed
h
FE
Classification
Classification
h
FE1
Parameter
Value
- 80
- 60
- 7
- 7
- 15
- 3.5
2
30
150
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
A
A
A
W
W
°
C
°
C
Test Condition
V
CB
= - 60V, I
E
= 0
V
EB
= - 5V, I
C
= 0
V
CE
= - 1V, I
C
= - 3A
V
CE
= - 1V, I
C
= - 5A
I
C
= - 5A, I
B
= - 0.5A
I
C
= - 5A, I
B
= - 0.5A
Min.
Max.
- 10
- 10
200
Units
μ
A
μ
A
* DC Current Gain
40
20
- 0.5
- 1.5
V
V
R
O
Y
40 ~ 80
60 ~ 120
100 ~ 200
KSB1097
Low Frequency Power Amplifier
Low Speed Switchng Industrial Use
Complement to KSD1588
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter
TO-220F
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PDF描述
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參數(shù)描述
KSB1097OTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSB1097RTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSB1097YTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSB1098 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Low Frequency Power Amplifier
KSB1098OTU 功能描述:達(dá)林頓晶體管 PNP Silicon Darl RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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