參數(shù)資料
型號: KS32C5000
廠商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述: LSI of Ethernet(以太網(wǎng)的集成電路)
中文描述: 大規(guī)模集成電路的以太網(wǎng)(以太網(wǎng)的集成電路)
文件頁數(shù): 17/21頁
文件大?。?/td> 116K
代理商: KS32C5000
ELECTRONICS
19
May
‘98
LSI
Division
KS32C5000
Unified Cache
8K Byte ( 2048 instructions or data
/32, 4096 instruction or data /16)
2 Way set associative
Single cycle access
Can define two non-cacheable
regions for data only
Main memory updated by “Write
through four write buffers”
Software/Hardware selectable for
cache disable
CPU
S-ARM7T
Copies of
Instruction
Copies of
Data
Cache
address
Instructions
and data
Instructions
Data
Memory
address
Instructions
and data
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KS35A2
KV31S1
KV38S2
KS500 R.F. AND SWITCHING TRANSISTORS N-P-N, HF. UND SCHALTTRANSISTOREN N-P-N
KS524503HB TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 450V V(BR)CEO | 30A I(C)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KS32C5000A01 制造商:SAMSUNG 功能描述:New
KS3302BU 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor Small Signal RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KS3302TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor Small Signal RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KS33J4 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:40 W Transient Voltage Suppressor Diode
KS33K5 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:40 W Transient Voltage Suppressor Diode