參數(shù)資料
型號: KS32C5000
廠商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述: LSI of Ethernet(以太網(wǎng)的集成電路)
中文描述: 大規(guī)模集成電路的以太網(wǎng)(以太網(wǎng)的集成電路)
文件頁數(shù): 1/21頁
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代理商: KS32C5000
ELECTRONICS
3
May
‘98
LSI
Division
KS32C5000
Main Features of Product(KS32C5000)
32-bit S-ARM7T RISC Core
8 Kbytes Unified Cache / SRAM(8K Cache, 4K/4K
Cache/SRAM, or 8K SRAM Mode)
2-channel UART
2-channel HDLC with DMA
IIC Bus (Simple master)
2-channel DMA
2-channel 32-bit Timers
10/100Mbps Ethernet Controller(MAC)
Interrupt controller
Fast Page/EDO Mode DRAM Controller with CBR
Refresh and Self Refresh Control
SRAM/ROM Controller
Interrupt controller
208 QFP
M/P : ‘98. 5(E/S : Available)
S-ARM7T
(33MHz)
I&D
Cache
MAC
(10/100M)
2-ch HDLC
(with DMA)
2-ch Timer
SRAM
Memory
Controller
2-ch UART
IIC Bus
Interrupt
Controller
2-ch DMA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KS35A2
KV31S1
KV38S2
KS500 R.F. AND SWITCHING TRANSISTORS N-P-N, HF. UND SCHALTTRANSISTOREN N-P-N
KS524503HB TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 450V V(BR)CEO | 30A I(C)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KS32C5000A01 制造商:SAMSUNG 功能描述:New
KS3302BU 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor Small Signal RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KS3302TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor Small Signal RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KS33J4 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:40 W Transient Voltage Suppressor Diode
KS33K5 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:40 W Transient Voltage Suppressor Diode