型號(hào): | KS32C5000 |
廠商: | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
英文描述: | LSI of Ethernet(以太網(wǎng)的集成電路) |
中文描述: | 大規(guī)模集成電路的以太網(wǎng)(以太網(wǎng)的集成電路) |
文件頁(yè)數(shù): | 16/21頁(yè) |
文件大小: | 116K |
代理商: | KS32C5000 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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KS35A2 | |
KV31S1 | |
KV38S2 | |
KS500 | R.F. AND SWITCHING TRANSISTORS N-P-N, HF. UND SCHALTTRANSISTOREN N-P-N |
KS524503HB | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 450V V(BR)CEO | 30A I(C) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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KS32C5000A01 | 制造商:SAMSUNG 功能描述:New |
KS3302BU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor Small Signal RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
KS3302TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor Small Signal RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
KS33J4 | 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:40 W Transient Voltage Suppressor Diode |
KS33K5 | 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:40 W Transient Voltage Suppressor Diode |