參數(shù)資料
型號(hào)： KS32C5000
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： LSI of Ethernet(以太網(wǎng)的集成電路)
中文描述： 大規(guī)模集成電路的以太網(wǎng)（以太網(wǎng)的集成電路）
文件頁(yè)數(shù)： 13/21頁(yè)
文件大?。?/td> 116K
代理商： KS32C5000
ELECTRONICS
15
May
‘98
LSI
Division
KS32C5000
100/10Mbps Ethernet Controller
Cost-effective connection with external
RIC/Ethernet backbone
Buffered DMA engine using burst mode
BDMA Tx/Rx buffer(256bytes/256bytes)
MAC Tx/Rx FIFO(80bytes/16bytes)
Retransmit after collision without DMA
request.
Handle DMA latency
Data allignment logic
Endian translation
Supports old/new media
Compatible with existing 10Mbps
networks
100/10Mbps operations
Full
IEEE802.3/u
compatible
Modified MII / modified 7-wire interface
Station management signaling
external physical layer configuration
and link negotiation
On chip CAM(21 addresses)
Full duplex mode / PAUSE operation
Double bandwidth/ H/W support for full
duplex flow control
Long/Short packet mode
Pad generation
MAC : Media Access Control
RIC : Repeater IC
MII : Media Independent Interface
CAM : Content Addressable Memory
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KS35A2
KV31S1
KV38S2
KS500 R.F. AND SWITCHING TRANSISTORS N-P-N, HF. UND SCHALTTRANSISTOREN N-P-N
KS524503HB TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 450V V(BR)CEO | 30A I(C)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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KS3302BU 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor Small Signal RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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KS33J4 制造商:SECOS 制造商全稱(chēng):SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:40 W Transient Voltage Suppressor Diode
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