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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KM68V1000B |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 128K x8 Bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM(128K x 8位低功耗和低電壓CMOS 靜態(tài) RAM) |
| 中文描述： | 128K的x8位低功耗和低電壓的CMOS靜態(tài)RAM（128K的× 8位低功耗和低電壓的CMOS靜態(tài)RAM）的 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 154K |
| 代理商： | KM68V1000B |
KM68V1000B, KM68U1000B Family
CMOS SRAM
Revision 2.0
March 1998
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(1)
(WE Controlled)
Address
CS
1
t
CW(2)
t
WR(4)
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(2)
(CS
1
Controlled)
Address
CS
1
t
WC
t
WR(4)
t
AS(3)
CS
2
t
CW(2)
t
WP(1)
t
DW
t
DH
t
OW
t
WHZ
Data Undefined
Data Valid
WE
Data in
Data out
t
DW
t
DH
Data Valid
WE
Data in
Data out
High-Z
High-Z
CS
2
t
WC
t
AW
t
AS(3)
t
CW(2)
t
WP(1)
t
AW
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PDF描述 |
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