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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KM48C514D |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | High Speed 512K x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out(高速512K x 8位 CMOS 動(dòng)態(tài)RAM(帶擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出)) |
| 中文描述： | 高速的擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出（高速為512k × 8位的CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（帶擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出）的CMOS為512k × 8位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/21頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 393K |
| 代理商： | KM48C514D |
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KM48C514D
CMOS DRAM
High Speed
AC CHARACTERISTICS
(Continued)
Parameter
Symbol
-4
Units
Notes
Min
Max
Data set-up time
t
DS
0
ns
9
Data hold time
t
DH
t
REF
t
REF
t
CWD
t
RWD
t
AWD
t
CPWD
t
CSR
t
CHR
t
RPC
t
CPT
t
CPA
t
HPC
t
HPRWC
t
CP
t
RASP
t
RHCP
t
OEA
t
OED
t
OEZ
t
OEH
t
DOH
t
REZ
t
WEZ
t
WED
t
OCH
t
CHO
t
OEP
t
WPE
t
RASS
t
RPS
t
CHS
6.5
ns
9
Refresh period (Normal)
8
ms
Refresh period (L-ver)
128
ms
CAS to W delay time
28
ns
7
RAS to W delay time
55
ns
7
Column address to W delay time
35
ns
7
CAS precharge to W delay time
38
ns
7
CAS set-up time (CAS -before-RAS refresh)
5
ns
CAS hold time (CAS -before-RAS refresh)
10
ns
RAS to CAS precharge time
5
ns
CAS precharge time (C-B-R counter test cycle)
20
ns
Access time from CAS precharge
23
ns
3
Hyper Page mode cycle time
17
ns
11
Hyper Page read-modify-write cycle time
48
ns
11
CAS precharge time (Hyper Page cycle)
6.5
ns
RAS pulse width (Hyper Page cycle)
40
100K
ns
RAS hold time from CAS precharge
25
ns
OE access time
13
ns
3
OE to data delay
11
ns
Output buffer turn off delay time from OE
3
11
ns
6
OE command hold time
13
ns
Output data hold time
4
ns
Output buffer turn off delay from RAS
3
15
ns
6,12
Output buffer turn off delay from W
3
11
ns
6
W to data delay
11
ns
OE to CAS hold time
5
ns
CAS hold time to OE
5
ns
OE precharge time
5
ns
W pulse width (Hyper Page Cycle)
5
ns
RAS pulse width (C-B-R self refresh)
100
us
13,14,15
RAS precharge time (C-B-R self refresh)
74
ns
13,14,15
CAS hold time (C-B-R self refresh)
-50
ns
13,14,15
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