- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄374356 > KM44S16030B (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 4M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM(4M x 4位 x 4組同步動態(tài)RAM) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | KM44S16030B |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 4M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM(4M x 4位 x 4組同步動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 4米× 4位× 4銀行同步DRAM（4米× 4位× 4組同步動態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 31/43頁 |
| 文件大小： | 625K |
| 代理商： | KM44S16030B |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁當(dāng)前第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁
TIMING DIAGRAM - III
CMOS SDRAM
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
ELECTRONICS
REV. 2 Mar. '98
Page Read & Write Cycle at Same Bank @Burst Length=4
HIGH
Row Active
(A-Bank)
Read
(A-Bank)
Write
(A-Bank)
Precharge
(A-Bank)
: Don't care
*Note :
1. To write data before burst read ends, DQM should be asserted three cycle prior to write
command to avoid bus contention.
2. Row precharge will interrupt writing. Last data input, t
3. DQM should mask invalid input data on precharge command cycle when asserting precharge
before end of burst. Input data after Row precharge cycle will be masked internally.
RDL
before Row precharge, will be written.
Read
(A-Bank)
tRCD
*Note 2
tRDL
*Note 1
*Note 3
tCDL
Qa0
Qa1
Qb0
Qb1
Qb2
Qa0
Qa1
Qb0
Qb1
Dc0
Dc1
Dd0
Dd1
Dc0
Dc1
Dd0
Dd1
Write
(A-Bank)
BA
0
BA
1
A
10
/AP
CL=2
CL=3
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
Ra
Ca
Cb
Cc
Cd
Ra
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM44S16030C | 4M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM(4M x 4位 x 4組同步動態(tài)RAM) |
| KM44S32030B | 128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM44S32030 | 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM(8M x 4位 x 4組同步動態(tài)RAM) |
| KM44V16104B | 16M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out(16M x 4位CMOS 動態(tài)RAM(帶擴展數(shù)據(jù)輸出)) |
| KM44V16004B | 16M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out(16M x 4位CMOS 動態(tài)RAM(帶擴展數(shù)據(jù)輸出)) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM44S32030 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| KM44S32030B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM44S32030BT-G/F10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM44S32030BT-G/F8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM44S32030BT-G/FA | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。