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參數(shù)資料
| 型號： | KM416V256D |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256K x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| 中文描述： | 256 × 16Bit的CMOS動(dòng)態(tài)RAM的快速頁面模式 |
| 文件頁數(shù)： | 2/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 83K |
| 代理商： | KM416V256D |
KM416C256D, KM416V256D
CMOS DRAM
V
CC
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
V
CC
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
N.C
N.C
W
RAS
N.C
A0
A1
A2
A3
V
CC
V
SS
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
V
SS
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
N.C
LCAS
UCAS
OE
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
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21
PIN CONFIGURATION
(Top Views)
ü
KM416C/V256DT
Pin Name
Pin Function
A0 - A8
Address Inputs
DQ0 - 15
Data In/Out
V
SS
Ground
RAS
Row Address Strobe
UCAS
Upper Column Address Strobe
LCAS
Lower Column Address Strobe
W
Read/Write Input
OE
Data Output Enable
V
CC
Power(+5V)
Power(+3.3V)
N.C
No Connection
V
CC
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
V
CC
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
N.C
N.C
W
RAS
N.C
A0
A1
A2
A3
V
CC
V
SS
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
V
SS
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
N.C
LCAS
UCAS
OE
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
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ü
KM416C/V256DJ
(SOJ)
(TSOP-II)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM416C4000C | RESISTOR |
| KM416C4100C | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| KM416C4004C | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| KM416C4104C | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| KM416C4100B | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM416V256DT-L6 | 制造商:Samsung Electro-Mechanics 功能描述:Dynamic RAM, Fast Page, 256K x 16, 44 Pin, Plastic, TSOP |
| KM416V4000B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| KM416V4000C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| KM416V4004B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| KM416V4004C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
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