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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KM416C1200C |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 12.4K OHM 1% 1/2W M/F LEADED RESISTOR |
| 中文描述： | 100萬(wàn)× 16的CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的快速頁(yè)面模式 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/34頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 767K |
| 代理商： | KM416C1200C |
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KM416C1000C, KM416C1200C
KM416V1000C, KM416V1200C
CMOS DRAM
V
CC
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
V
CC
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
N.C
N.C
N.C
W
RAS
*A11(N.C)
*A10(N.C)
A0
A1
A2
A3
V
CC
V
SS
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
V
SS
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
N.C
N.C
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
PIN CONFIGURATION
(Top Views)
Pin Name
Pin Function
A0 - A11
Address Inputs (4K Product)
A0 - A9
Address Inputs (1K Product)
DQ0 - 15
Data In/Out
V
SS
Ground
RAS
Row Address Strobe
UCAS
Upper Column Address Strobe
LCAS
Lower Column Address Strobe
W
Read/Write Input
OE
Data Output Enable
V
CC
Power(+5V)
Power(+3.3V)
N.C
No Connection
V
CC
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
V
CC
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
N.C
N.C
W
RAS
*A11(N.C)
*A10(N.C)
A0
A1
A2
A3
V
CC
V
SS
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
V
SS
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
N.C
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
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22
*A10 and A11 are N.C for KM416C/V1200C(5V/3.3V, 1K Ref. product)
J : 400mil 42 SOJ
T : 400mil 50(44) TSOP II
KM416C/V10(2)00CJ
KM416C/V10(2)00CT
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM416C1000C | 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| KM416V1000C | 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| KM416V1200C | 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| KM416C1204C-6 | 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| KM416V12CT-L6 | 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM416C1200CT-L6 | 制造商:Samsung Electro-Mechanics 功能描述:Dynamic RAM, Fast Page, 1M x 16, 44 Pin, Plastic, TSOP |
| KM416C1204BJ6 | 制造商:SAM 功能描述:NEW |
| KM416C1204BT-6 | 制造商:Samsung Electro-Mechanics 功能描述:1M X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO44 |
| KM416C1204C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| KM416C1204C-45 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
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