參數(shù)資料
型號(hào)： KM416C1200C
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 12.4K OHM 1% 1/2W M/F LEADED RESISTOR
中文描述： 100萬(wàn)× 16的CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的快速頁(yè)面模式
文件頁(yè)數(shù)： 12/34頁(yè)
文件大?。?/td> 767K
代理商： KM416C1200C
KM416C1000C, KM416C1200C
KM416V1000C, KM416V1200C
CMOS DRAM
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WORD WRITE CYCLE ( EARLY WRITE )
NOTE : D
OUT
= OPEN
Undefined
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DQ0 ~ DQ7
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DATA-IN
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DS
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DH
DATA-IN
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KM416C1000C 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode
KM416V1000C 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode
KM416V1200C 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode
KM416C1204C-6 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
KM416V12CT-L6 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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KM416C1204BJ6 制造商:SAM 功能描述:NEW
KM416C1204BT-6 制造商:Samsung Electro-Mechanics 功能描述:1M X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO44
KM416C1204C 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
KM416C1204C-45 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
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