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參數(shù)資料
| 型號： | KM4132G271BQ(R)-10 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
| 中文描述： | 128K的x 32位× 2銀行同步圖形RAM的LVTTL |
| 文件頁數(shù)： | 21/51頁 |
| 文件大?。?/td> | 1033K |
| 代理商： | KM4132G271BQ(R)-10 |
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KM4132G271B
CMOS SGRAM
- 21
Rev. 2.4 (May 1998)
(1) CL=2, BL=4
4. CAS Interrupt (II) : Read Interrupted by Write & DQM
CLK
i) CMD
DQM
DQ
D
1
D
2
RD
D
3
WR
D
0
D
1
D
2
D
3
D
0
*Note :
1. To prevent bus contention, there should be at least one gap between data in and data out.
2. To prevent bus contention, DQM should be issued which makes at least one gap between data in and data out.
RD
WR
RD
WR
Hi-Z
Hi-Z
D
1
D
2
RD
D
3
WR
D
0
D
1
D
2
D
3
D
0
D
1
D
2
D
3
D
0
RD
WR
RD
WR
RD
WR
D
1
D
2
D
3
D
0
Hi-Z
ii) CMD
DQM
DQ
iii) CMD
DQM
(2) CL=3, BL=4
CLK
i) CMD
DQM
DQ
ii) CMD
DQM
DQ
iii) CMD
DQM
DQ
iv) CMD
DQM
DQ
Q
0
D
1
D
2
D
3
D
0
Note 1
RD
WR
Hi-Z
iv) CMD
DQM
DQ
D
1
D
2
D
3
D
0
DQ
RD
WR
Q
0
D
1
D
2
D
3
D
0
Note 2
Hi-Z
v) CMD
DQM
DQ
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM4132G271BQ(R)-7 | 128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM4132G271BQR-10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
| KM4132G271BQR-7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
| KM4132G271BQR-8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
| KM4132G271BTQ(R)-10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
| KM4132G271BTQ(R)-7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
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