參數(shù)資料
型號(hào)： KM4132G271AQ-10
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 128K x 32Bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM
中文描述： 128K的x 32Bit的× 2銀行同步圖形內(nèi)存
文件頁數(shù)： 19/48頁
文件大?。?/td> 1000K
代理商： KM4132G271AQ-10
KM4132G271A
CMOS SGRAM
Rev.0 (August 1997)
CLK
CMD
ADD
RD
RD
A
B
QA
0
QB
1
QB
2
QB
3
QB
0
QA
0
QB
1
QB
2
QB
3
QB
0
t
CCD
Note 2
WR
WR
A
B
t
CCD Note 2
DA
0
DB
1
DB
0
t
CDL
Note 3
CLK
CMD
ADD
DQ
WR
RD
A
B
t
CCD Note 2
t
CDL
Note 3
DA
0
QB
1
QB
0
DA
0
QB
1
QB
0
DQ(CL2)
DQ(CL3)
1. By " Interrupt ", It is possible to stop burst read/write by external command before the end of burst.
By "CAS Interrupt", to stop burst read/write by CAS access ; read, write and block write.
2. t
CCD
: CAS to CAS delay. (=1CLK)
3. t
CDL
: Last data in to new column address delay. (=1CLK)
4. Pixel :Pixel mask.
5.
t
CC
: Clock cycle time.
6. t
BWC
: Block write minimum cycle time.
7. Other Bank can be active or precharge.
DQ(CL2)
DQ(CL3)
WR
BW
C
D
t
CCD Note 2
t
CDL
Note 3
DC
0
Pixel
Note 4
Note 7
Pixel
t
BWC
Note 6
CLK
CMD
ADD
DQ
A
B
X
BW
BW
NOP
Pixel
Note 4
(a) t
CC
< t
BWC
Note 5
Pixel
t
BWC
Note 6
A
B
BW
BW
Pixel
Note 4
(b) t
CC
t
BWC
3. CAS Interrupt (I)
1) Read interrupted by Read (BL=4)
Note 1
3) Write interrupted by Read (BL=2)
2) Write interrupted by(Block) Write (BL=2)
4) Block Write to Block Write
*Note :
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KM4132G271A-10 128K x 32Bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM
KM4132G271A-12 128K x 32Bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM
KM4132G271A-8 128K x 32Bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM
KM4132G271A 128K x 32Bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM
KM4132G271BTQ(R)-10 128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL
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參數(shù)描述
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