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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KM29U64000IT |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 8M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| 中文描述： | 8米× 8位NAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 17/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 481K |
| 代理商： | KM29U64000IT |
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KM29U64000T, KM29U64000IT
FLASH MEMORY
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READ1 OPERATION
(INTERCEPTED BY CE)
CE
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7
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Dout N+1
Dout N+2
Dout N+3
Page(Row)
Address
Address
Column
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WB
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AR2
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RC
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(READ ONE PAGE)
CE
CLE
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I/O
0
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7
WE
ALE
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A
0
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7
A
9
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16
A
17
~ A
22
Dout
511+M
Dout 527
M Address
A
0
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3
:Valid Address
A
4
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7
:Dont care
Dout
511+M+1
Selected
Row
Start
address M
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16
t
AR2
t
R
t
WB
t
RR
≈
≈
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM29U64000T | 8M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| KM29U64000K1 | 8M x 8 Bit NAND Flash Memory(8M x 8位 NAND閃速存儲(chǔ)器) |
| KM29V040IT | 512K x 8 Bit NAND Flash Memory(512K x 8位 NAND閃速存儲(chǔ)器) |
| KM29V040T | 512K x 8 Bit NAND Flash Memory(512K x 8位 NAND閃速存儲(chǔ)器) |
| KM29V16000AIT | FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM29U64000T | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| KM29V16000AIT | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KM29V16000AR | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M X 8 BIT NAND FLASH MEMORY |
| KM29V16000ARS | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M X 8 BIT NAN FLASH MEMORY |
| KM29V16000AT | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
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