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參數(shù)資料
| 型號： | KFM2G16Q2M-DED5 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| 中文描述： | MuxOneNAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 120/124頁 |
| 文件大小： | 1550K |
| 代理商： | KFM2G16Q2M-DED5 |
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MuxOneNAND1G(KFM1G16Q2M-DEB5)
MuxOneNAND2G(KFN2G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
120
Because the pull-up resistor value is related to tr(INT) an appropriate value can obtained with the following reference charts.
7.1.3 Determining Rp Value
t
I
Rp(ohm)
Ibusy
tr[us]
KFG1G16Q2M @ Vcc = 1.8V, Ta = 25
°
C , C
L
= 30pF
1K
10K
20K
30K
0.089
tf[ns]
0.7727
1.345
1.788
3.77
3.77
3.77
3.77
1.75
0.18
0.09
40K
50K
2.142
2.431
3.77
3.77
0.045
0.06
0.036
Open(100K)
5.420
0.000
≈
≈
≈
≈
≈
≈
Busy State
Ready Vcc
VOH
tf
tr
VOL
Vss
~50k ohm
INT
Internal Vcc
Rp
INT pol = ’High’
t
I
Rp(ohm)
Ibusy
tr[us]
KFN2G16Q2M @ Vcc = 1.8V, Ta = 25
°
C , C
L
= 30pF
1K
10K
20K
30K
0.161
tf[ns]
1.238
1.97
2.458
8.73
8.73
8.73
8.73
1.75
0.18
0.09
40K
50K
2.807
3.07
8.73
8.73
0.045
0.06
0.036
Open(100K)
3.785
0.000
≈
≈
≈
≈
≈
≈
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFM2G16Q2M-DED6 | MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFN2G16Q2M-DED5 | MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFN2G16Q2M-DED6 | MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFX0327T | SPECIFICATIONS FOR SAW DUPLEXER (RF DUPLEXER FOR CORDLESS PHONE ISM) |
| KFX0414T | SPECIFICATIONS FOR SAW DUPLEXER (RF DUPLEXER FOR CORDLESS PHONE CIS) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFM2G16Q2M-DED6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFM2GN6Q2B-HEB8T00 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| KFM65MZ-160PR | 制造商:TYAN 功能描述:CHASSIS UNIT - Bulk |
| KFM85M | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:SPECIFICATIONS FOR SAW FILTER(BAND PASS FILTERS FOR CDMA IF STAGE) |
| KFM90D060 | 制造商:IDEC CORPORATION 功能描述:CONNECTOR M12 |
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