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參數(shù)資料
| 型號： | KFG1216Q2A-DID6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 42/114頁 |
| 文件大?。?/td> | 1382K |
| 代理商： | KFG1216Q2A-DID6 |
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OneNAND512(KFG1216x2A-xxB5)
FLASH MEMORY
42
Burst Length (BL)
BL
Burst Length(Main)
Burst Length(Spare)
000
Continuous(default)
001
4 words
010
8 words
011
16 words
100
32 words
N/A
101~111
Reserved
Burst Length (BL) Information[11:9]
Item
Definition
Description
BL
Burst Length
Specifies the size of the burst length during a synchronous
read, wrap around and linear burst read
Error Correction Code (ECC) Information[8]
Item
Definition
Description
ECC
Error Correction Code Operation
0 = with correction (default)
1 = without correction (bypassed)
RDY Polarity (RDYpol) Information[7]
Item
Definition
Description
RDYpol
RDY signal polarity
1 = high for ready (default)
0 = low for ready
INT Polarity (INTpol) Information[6]
INTpol
INT bit of Interrupt Status Register
INT Pin output
0
0 (busy)
High
1 (ready)
Low
1 (default)
0 (busy)
Low
1 (ready)
High
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG1216Q2A-FEB5 | FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-FEB6 | FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-FED5 | FLASH MEMORY |
| KFG1216U2A-DEB5 | FLASH MEMORY |
| KFG1216U2A-DEB6 | FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFG1216Q2A-FEB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-FEB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-FED5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-FED6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-FIB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
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