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參數(shù)資料
| 型號： | KFG1216Q2A-DID6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 4/114頁 |
| 文件大小： | 1382K |
| 代理商： | KFG1216Q2A-DID6 |
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OneNAND512(KFG1216x2A-xxB5)
FLASH MEMORY
4
Revision History
Revision No.
1.0
Remark
Final
Draft Date
May. 17, 2005
History
1. Corrected the errata
2. Added Data Protection flow chart.
3. Removed Cache Read Operation.
4. Added additional information on command register.
5. Revised Interrupt status register information.
6. Added INT pin schematic.
7. Changed tPGM1 to 205 from 320us, tPGM2 to 220 from 350us.
8. Revised AC/DC parameters
9. Revised ECC Bypass Description.
10. Revised Reset Parameters and Timing Diagrams.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG1216Q2A-FEB5 | FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-FEB6 | FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-FED5 | FLASH MEMORY |
| KFG1216U2A-DEB5 | FLASH MEMORY |
| KFG1216U2A-DEB6 | FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFG1216Q2A-FEB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-FEB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-FED5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-FED6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-FIB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
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