參數(shù)資料
型號： KBE00G003M
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2
中文描述： NAND閃存的512Mb * 2移動SDRAM 256Mb的* 2
文件頁數(shù)： 74/89頁
文件大小： 1238K
代理商： KBE00G003M
KBE00G003M-D411
MCP MEMORY
July 2005
74
Revision 0.1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
CKE
CS
RAS
CAS
BA1
A10/AP
CL=3
ADDR
WE
: Don’t care
CLOCK
Read & Write Cycle at Same Bank @Burst Length=4, tRDL=2CLK
HIGH
Ra
Ca
Ra
CL=2
{
Row Active
(A-Bank)
Read
(A-Bank)
Write
(A-Bank)
Precharge
(A-Bank)
t
RC
*Note 1
t
SHZ
t
SAC
t
OH
*NOTE:
1. Minimum row cycle times is required to complete internal DRAM operation.
2. Row precharge can interrupt burst on any cycle. [CAS Latency - 1] number of valid output data
is available after Row precharge. Last valid output will be Hi-Z(t
SHZ
) after the clcok.
3. Ouput will be Hi-Z after the end of burst. (1, 2, 4, 8 & Full page bit burst)
BA0
DQM
DQ
t
RDL
*Note 2
*Note 4
t
SHZ
t
SAC
t
OH
t
RDL
*Note 4
Row Active
(A-Bank)
Precharge
(A-Bank)
t
RCD
Qa1
Db0
Qa0
Qa2
Db1
Db2
Db3
Qa3
Qa1
Db0
Qa0
Qa2
Db1
Db2
Db3
Qa3
Rb
Rb
Cb
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KBE00G003M-D411 NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2
KBE00S009M 1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
KBE00S009M-D411 1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
KBJ2501 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER
KBJ2502 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER
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參數(shù)描述
KBE00G003M-D411 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2
KBE00S003M 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
KBE00S003M-D411 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
KBE00S009M 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
KBE00S009M-D411 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
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