參數(shù)資料
型號： KBE00G003M
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2
中文描述： NAND閃存的512Mb * 2移動SDRAM 256Mb的* 2
文件頁數(shù)： 62/89頁
文件大?。?/td> 1238K
代理商： KBE00G003M
KBE00G003M-D411
MCP MEMORY
July 2005
62
Revision 0.1
tCCD
*2
tCCD
*2
tCDL
*3
tCCD
*2
tCDL
*3
*NOTE:
1. By " Interrupt", It is meant to stop burst read/write by external command before the end of burst.
By "CAS Interrupt", to stop burst read/write by CAS access ; read and write.
2. t
CCD
: CAS to CAS delay. (=1CLK)
3. t
CDL
: Last data in to new column address delay. (=1CLK)
DQ(CL2)
DQ(CL3)
3. CAS Interrupt (I)
1) Read interrupted by Read (BL=4)
*1
2) Write interrupted by Write (BL=2)
CLK
CMD
ADD
RD
RD
A
B
3) Write interrupted by Read (BL=2)
QA
0
QB
0
QB
1
QB
1
QB
3
QA
0
QB
0
QB
1
QB
1
QB
3
CLK
CMD
ADD
DQ
WR
WR
A
B
DA
0
DB
0
DB
1
CLK
CMD
ADD
DQ(CL2)
DQ(CL3)
WR
RD
A
B
DA
0
QB
0
QB
1
DA
0
QB
0
QB
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KBE00G003M-D411 NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2
KBE00S009M 1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
KBE00S009M-D411 1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
KBJ2501 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER
KBJ2502 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KBE00G003M-D411 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2
KBE00S003M 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
KBE00S003M-D411 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
KBE00S009M 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
KBE00S009M-D411 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
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