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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K9F1208UOM |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 64M x 8 Bit NAND Flash Memory(64M x 8位與非閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 6400 × 8位NAND閃存（64米× 8位與非閃速存儲(chǔ)器） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 40/41頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1006K |
| 代理商： | K9F1208UOM |
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K9F1208U0M-YCB0, K9F1208U0M-YIB0
FLASH MEMORY
40
The device is designed to offer protection from any involuntary program/erase during power-transitions. An internal voltage detector
disables all functions whenever Vcc is below about 2V. WP pin provides hardware protection and is recommended to be kept at V
IL
during power-up and power-down. A recovery time of minimum 1
μ
s is required before internal circuit gets ready for any command
sequences as shown in Figure 19. The two step command sequence for program/erase provides additional software protection.
Figure 19. AC Waveforms for Power Transition
V
CC
WP
High
≈
≈
~ 2.5V
~ 2.5V
WE
Data Protection & Power-up sequence
≈
1
μ
s
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9F1608W0A- | 2M x 8 Bit NAND Flash Memory |
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參數(shù)描述 |
|---|---|
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