參數(shù)資料
型號： K4S161622E
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 1M x 16 SDRAM
中文描述： 100萬× 16內(nèi)存
文件頁數(shù)： 40/42頁
文件大?。?/td> 675K
代理商： K4S161622E
CMOS SDRAM
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
K4S161622E
Rev 0.2 Oct. '02
Self Refresh Entry & Exit Cycle
Self Refresh Entry
: Don't care
*Note 1
*Note 7
Hi-Z
Hi-Z
Self Refresh Exit
Auto Refresh
tSS
*Note 2
*Note 3
～
*Note 4
tRCmin
*Note 6
*Note 5
BA
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
A
10
/AP
*Note :
TO ENTER SELF REFRESH MODE
1. CS, RAS & CAS with CKE should be low at the same clcok cycle.
2. After 1 clock cycle, all the inputs including the system clock can be don't care except for CKE.
3. The device remains in self refresh mode as long as CKE stays
"Low".
cf.) Once the device enters self refresh mode, minimum t
RAS
is required before exit from self refresh.
TO EXIT SELF REFRESH MODE
4. System colck restart and be stable before returning CKE high.
5. CS starts from high.
6. Minimum t
RC
is required after CKE going high to complete self refresh exit.
7. 2K cycle of burst auto refresh is required before self refresh entry and after self refresh exit if the system uses burst refresh.
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4S161622E-TC10 1M x 16 SDRAM
K4S161622E-TC55 1M x 16 SDRAM
K4S161622E-TC60 1M x 16 SDRAM
K4S161622E-TC70 1M x 16 SDRAM
K4S161622E-TC80 1M x 16 SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K4S161622E-TC10 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16 SDRAM
K4S161622E-TC55 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16 SDRAM
K4S161622ETC60 制造商:SAMSUNG 功能描述:NEW
K4S161622E-TC60 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16 SDRAM
K4S161622E-TC70 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16 SDRAM
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*