- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄373065 > K4S161622E (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 1M x 16 SDRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | K4S161622E |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1M x 16 SDRAM |
| 中文描述： | 100萬× 16內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 37/42頁 |
| 文件大?。?/td> | 675K |
| 代理商： | K4S161622E |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁當(dāng)前第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁
CMOS SDRAM
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
K4S161622E
Rev 0.2 Oct. '02
Write Interrupted by Precharge Command & Write Burst Stop Cycle @ Burst Length=Full page
Row Active
(A-Bank)
Burst Stop
Write
(A-Bank)
Precharge
(A-Bank)
: Don't care
Write
(A-Bank)
*Note 2
tBDL
*Note :
1. At full page mode, burst is wrap-around at the end of burst. So auto precharge is impossible.
2. Data-in at the cycle of interrupted by precharge can not be written into the corresponding
memory cell. It is defined by AC parameter of t
RDL.
DQM at write interrupted by precharge command is needed to prevent invalid write.
DQM should mask invalid input data on precharge command cycle when asserting precharge
before end of burst. Input data after Row precharge cycle will be masked internally.
3. Burst stop is valid at every burst length.
HIGH
tRDL
BA
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
A
10
/AP
DAa0
DAa1
DAa2
DAa3 DAa4
DAb0
DAb1
DAb2
DAb3 DAb4
DAb5
RAa
CAa
CAb
RAa
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4S161622E-TC10 | 1M x 16 SDRAM |
| K4S161622E-TC55 | 1M x 16 SDRAM |
| K4S161622E-TC60 | 1M x 16 SDRAM |
| K4S161622E-TC70 | 1M x 16 SDRAM |
| K4S161622E-TC80 | 1M x 16 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4S161622E-TC10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16 SDRAM |
| K4S161622E-TC55 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16 SDRAM |
| K4S161622ETC60 | 制造商:SAMSUNG 功能描述:NEW |
| K4S161622E-TC60 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16 SDRAM |
| K4S161622E-TC70 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16 SDRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。